特許

J-GLOBAL ID：200903088929700856

反応性スパッタリング方法及び装置

発明者： 玉垣 浩 ,  碇 賀充 ,  小原 利光
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 安田 敏雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-156294
公開番号（公開出願番号）：特開2003-342725
出願日： 2002年05月29日
公開日（公表日）： 2003年12月03日
要約：

【要約】【課題】 反応性スパッタリングにおいて、安定的に高速成膜を可能にすること。【解決手段】 真空チャンバー1内に設けられた金属ターゲットを備えたスパッタ蒸発源2と、該スパッタ蒸発源2を駆動するスパッタ電源4と、スパッタ用の不活性ガスとスパッタされた金属と化合物を形成する反応ガスとを前記真空チャンバー1内に導入する導入機構5とを有する反応性スパッタリング装置を用いて、前記真空チャンバ内に設けられた基板3に反応性スパッタリング成膜を行なう方法において、前記スパッタ電源4の電圧を、目標とする電圧Vsに制御する定電圧制御を行うと共に、前記スパッタ蒸発源2の前方に発生するプラズマ発光の分光スペクトルが目標値となるように、前記目標電圧Vsを操作する目標電圧制御を、前記定電圧制御より遅い制御速度で行うこと。

請求項（抜粋）：

真空チャンバー内に設けられた金属ターゲットを備えたスパッタ蒸発源と、該スパッタ蒸発源を駆動するスパッタ電源と、スパッタ用の不活性ガスとスパッタされた金属と化合物を形成する反応ガスとを前記真空チャンバ内に導入する導入機構とを有する反応性スパッタリング装置を用いて、前記真空チャンバ内に設けられた基板に反応性スパッタリング成膜を行なう反応性スパッタリング方法において、前記スパッタ電源の電圧を、目標とする電圧Vsに制御する定電圧制御を行うと共に、前記スパッタ蒸発源の前方に発生するプラズマ発光の分光スペクトルが目標値となるように、前記目標電圧Vsを操作する目標電圧制御を、前記定電圧制御より遅い制御速度で行うことを特徴とする反応性スパッタリング方法。

Fターム (7件)：

4K029BA43 ,  4K029BA44 ,  4K029BA58 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029EA06 ,  4K029EA09