特許

J-GLOBAL ID：200903088935011710

SOI構造の製造方法

発明者： 中村 智史
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 稲岡 耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-275742
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114563
出願日： 1991年10月23日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：

【要約】【構成】半導体基板2の上に絶縁酸化層4を形成した後、絶縁酸化層4に開口14を設け、開口14から縦および横方向にエピタキシャル成長層22を形成する。次に、開口14で半導体基板と接合するエピタキシャル成長層22を選択的に除去する。そして、絶縁物20をエピタキシャル成長層22と面一となるまで開口14に埋め込む。これにより、開口14が閉塞され、エピタキシャル成長層22は半導体基板2から絶縁される。【効果】ELO法で残存していた開口14が無くなり、エピタキシャル成長層22は、素子形成に必要な素子形成領域のみが残されて、半導体基板2と完全に絶縁される。したがって、成長層22は寄生容量を持たなくなり、高速素子を得ることができる。

請求項（抜粋）：

(1)半導体基板の上に酸化絶縁層を形成する工程、(2)酸化絶縁層に種結晶成長用の開口を設ける工程、(3)前記開口で露出された半導体基板の表面を種結晶として、当該種結晶をまず縦方向に成長させ、その後横方向に成長させて、開口を起点として酸化絶縁層上にエピタキシャル成長層を形成する工程、(4)前記開口で半導体基板と接合するエピタキシャル成長層を選択的に除去する工程、(5)前記除去部分にエピタキシャル成長層と面一となるまで絶縁物を埋め込む工程を備えたことを特徴とするSOI構造の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/00 301 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784