特許
J-GLOBAL ID:200903088938350604

ブランケット及びそれを用いたオフセット印刷による微細電極パターンの形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 土井 育郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-122152
公開番号(公開出願番号):特開2002-316487
出願日: 2001年04月20日
公開日(公表日): 2002年10月29日
要約:
【要約】【課題】 オフセット印刷により微細パターンを印刷するときの印刷方向に対して垂直なラインの解像度不良を解消したブランケット並びに印刷方向に対して垂直なラインの解像度不良を解消したオフセット印刷による微細電極パターンの形成方法を提供する。【解決手段】 本発明のブランケットは20kgf/cm2 の張力に対する伸び率が0.5%である高強度ゴム層及び該高強度ゴム層を被覆する表面ゴム層を含む。微細電極パターンのオフセット印刷による形成時に、前記ブランケットを用いることにより印刷方向に対して垂直なラインの解像度不良が解消される。
請求項(抜粋):
高強度ゴム層及び高強度ゴム層を被覆する表面ゴム層を含み、高強度ゴム層の層厚に対し、表面ゴム層の層厚が2/7以上、4/7以下であることを特徴とする印刷用ブランケット。
IPC (8件):
B41N 10/04 ,  B32B 25/00 ,  B41M 1/06 ,  B41M 1/34 ,  B41M 3/00 ,  C08K 7/04 ,  C08L 21/00 ,  B41F 3/20
FI (8件):
B41N 10/04 ,  B32B 25/00 ,  B41M 1/06 ,  B41M 1/34 ,  B41M 3/00 Z ,  C08K 7/04 ,  C08L 21/00 ,  B41F 3/20 C
Fターム (51件):
2H113AA01 ,  2H113AA05 ,  2H113BA05 ,  2H113BB09 ,  2H113BC12 ,  2H113CA17 ,  2H113DA03 ,  2H113DA14 ,  2H113DA46 ,  2H113EA07 ,  2H113EA24 ,  2H114CA03 ,  2H114CA04 ,  2H114CA10 ,  2H114DA03 ,  2H114DA14 ,  2H114DA76 ,  2H114EA08 ,  2H114FA02 ,  2H114FA06 ,  4F100AD11A ,  4F100AG00A ,  4F100AN00A ,  4F100AN00B ,  4F100BA02 ,  4F100BA25B ,  4F100CA21H ,  4F100CA23A ,  4F100CC00 ,  4F100DG01A ,  4F100DH00A ,  4F100EJ162 ,  4F100EJ422 ,  4F100GB90 ,  4F100HB31 ,  4F100JK01A ,  4F100JK08A ,  4F100JK08B ,  4F100JK15B ,  4F100YY00A ,  4F100YY00B ,  4J002AC071 ,  4J002AC091 ,  4J002BB151 ,  4J002BB181 ,  4J002BD121 ,  4J002CK021 ,  4J002CP031 ,  4J002DA016 ,  4J002DL006 ,  4J002FA046
引用特許:
審査官引用 (5件)
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