特許
J-GLOBAL ID：200903088938635129
固体撮像装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
最上 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-101758
公開番号（公開出願番号）：特開平7-288336
出願日： 1994年04月18日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：
【要約】【目的】 Si段差の生じる選択酸化法を用いた固定パターンノイズを低減するようにしたCMDを用いた固体撮像装置の製造方法において、レジストパターンの膜厚むらの発生を防止し、ゲート電極を正常に形成できるようにする。【構成】 Si段差6を生じさせる選択酸化膜5を形成した後、ドレイン拡散層7を形成し、選択酸化膜5を全面除去する。次いで段差6部分を含む全面にレジスト21を塗布し、レジスト21とSiのエッチング選択比1なるRIE条件でエッチバックし、平坦化表面8を形成する。次にゲート酸化膜9とゲート電極用膜10を形成した後、レジスト11を用いてフォトリソを施す。この際、下地は平坦化されているためフォトリソパターンに異常に発生せず、ゲート電極10aは正常に形成される。
請求項（抜粋）：
絶縁物又は高抵抗基板上に形成した半導体層の同一表面にソース領域及びドレイン領域を有し、前記半導体層の上に形成した絶縁層を介して前記ソース領域及びドレイン領域間の上部の少なくとも一部にMIS構造からなるゲート電極を備え、前記半導体層上の表面と平行にソース・ドレイン電流が流れるように構成した電荷変調素子を画素として用いた固体撮像装置における電荷変調素子を、選択酸化工程と、ソース領域又はドレイン領域の一方をネガタイプ、他方をポジタイプのレジストパターン形成方法を用いてソース領域及びドレイン領域を形成する工程を含む工程で製造する固体撮像装置の製造方法において、前記ゲート電極の形成前に、前記半導体層を平坦化処理する工程を備えていることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 31/10 A
, H01L 27/14 A
, H01L 31/10 E
