特許

J-GLOBAL ID：200903088939024085

アニリン系導電性高分子膜およびその製造方法

発明者： 斉藤 隆司 ,  清水 茂 ,  高柳 恭之
出願人/特許権者： 日東化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-305733
公開番号（公開出願番号）：特開平8-143664
出願日： 1994年11月16日
公開日（公表日）： 1996年06月04日
要約：

【要約】【目的】 高い導電性とともに、耐熱性、耐候性に優れた化学的および物理的に安定なアニリン系導電性高分子膜およびその製造方法の提供。【構成】一般式(1)(式中、R1 〜R18は、水素、炭素数1〜4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数1〜4の直鎖または分岐のアルコキシ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基およびハロゲン基よりなる群から選ばれた一つの基である。xは0〜1の任意の数を示し、nは重合度を示し、2〜5000の数である)で表される脱酸処理または還元処理した脱ドープ状態のアニリン系高分子膜に、スルホン基および/またはカルボキシル基などを有する酸性基置換アニリン、そのアルカリ金属塩、アンモニウム塩および/または置換アンモニウム塩を繰り返し単位として70%以上有するポリマーであって、その重量平均分子量が1900以上の常温固体状である可溶性アニリン系導電性ポリマー類がドーパントとして付加していることを特徴とするアニリン系導電性高分子膜。

請求項（抜粋）：

一般式(1)【化1】(式中、R1 〜R18は、水素、炭素数1〜4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数1〜4の直鎖または分岐のアルコキシ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基およびハロゲン基よりなる群から選ばれた一つの基である。xは0〜1の任意の数を示し、nは重合度を示し、2〜5000の数である)で表される脱酸処理または還元処理した脱ドープ状態のアニリン系高分子膜(m)に、スルホン基および/またはカルボキシル基などの酸性基を有する酸性基置換アニリン、そのアルカリ金属塩、アンモニウム塩および/または置換アンモニウム塩を繰り返し単位として70%以上有するポリマーであって、その重量平均分子量が1900以上の常温固体状である可溶性アニリン系導電性ポリマー類(a)が、ドーパントとして付加していることを特徴とするアニリン系導電性高分子膜。

IPC (3件)：

C08G 73/00 NTB ,  C08J 5/18 CEZ ,  C08L 79/08 LRC