特許
J-GLOBAL ID：200903088945903813
赤外線検出素子及びその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-245294
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106643
出願日： 1993年09月30日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【目的】 過剰雑音が低く、抵抗値のバラツキが少ない赤外線検出素子及びその製造方法を提供する。【構成】 絶縁性薄膜2に赤外線を吸収する赤外線吸収膜7と、赤外線吸収膜7より受ける温度の変化によって抵抗値が変化する薄膜低抗体4と、薄膜低抗体4を上下から挟むように取り付けられた上部電極6及び下部電極3が形成され、前記絶縁性薄膜2の周囲が半導体基板によって支持され、赤外線吸収部が形成された面と反対側が中空部となるダイアフラム構造を有する熱型赤外線検出素子において、上部電極6と薄膜抵抗体4を平面的に同じ形状になるように形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁性薄膜上に、赤外線を吸収する赤外線吸収膜と、赤外線吸収膜より受ける温度の変化によって抵抗値が変化する薄膜抵抗体と、薄膜抵抗体を上下から挟むように取り付けられた上部電極及び下部電極とが形成され、前記絶縁性薄膜の周囲が半導体基板によって支持され、赤外線吸収膜と側面保護膜とから成る赤外線吸収部が形成された面と反対側が中空部となるダイアフラム構造を有する赤外線検出素子において、前記上部電極と薄膜抵抗体が平面的に同じ形状になるように形成されていることを特徴とする赤外線検出素子。
IPC (3件)：
H01L 37/02
, G01J 1/02
, G01J 5/02
