特許
J-GLOBAL ID：200903088951788651
膜の転写方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-368701
公開番号（公開出願番号）：特開2002-171009
出願日： 2000年12月04日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：
【要約】【課題】 高温が必要なプロセスでも、直接成膜が困難な基板上へも膜を転写できるデバイスを実現する。【解決手段】 第一基板11,12上に形成した被転写膜15〜17を第二基板18,19上に転写する、膜の転写方法において、第一基板上に剥離層13及び被転写膜を順次形成する第一の工程と、被転写膜と第一基板とは熱膨張係数の異なる第二基板を被転写膜と接着する第二の工程と、接着した第一基板と第二基板とを加熱または冷却し剥離層での剥離を生じさせて、被転写膜を第二基板上に転写する第三の工程と、を有する。
請求項（抜粋）：
第一基板上に形成した被転写膜を第二基板上に転写する、膜の転写方法において、前記第一基板上に剥離層及び被転写膜を順次形成する第一の工程と、前記第一基板とは熱膨張係数の異なる前記第二基板を前記被転写膜と接着する第二の工程と、接着した前記第一基板と前記第二基板とを加熱または冷却し前記剥離層での剥離を生じさせて、前記被転写膜を前記第二基板上に転写する第三の工程と、を有することを特徴とする、膜の転写方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 41/22 Z
, H01L 41/18 101 D
