特許

J-GLOBAL ID：200903088952831640

検査用薄膜の形成方法および不純物の除去方法

発明者： 大谷 智彦
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
代理人 (1件)： 杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-097667
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274034
出願日： 1995年03月31日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】 CVD装置の稼働を止めずに反応室内の不純物を検査することができる。【構成】 反応室1内にSiH4とH2との混合ガスを導入して反応室1内のガラス基板9上にプラズマCVDにより検査用薄膜を成膜する。この場合、SiH4のH2に対する流量比(SiH4/H2=0.001〜0.01程度)を通常の成膜条件(SiH4/H2=0.1〜0.5程度)よりも少なくして通常の成膜速度(40Å/min)よりも検査用薄膜の成膜速度(20Å/min以下程度)を遅くしたので、検査用薄膜中には不純物が高濃度に含まれることになる。したがって、検査用薄膜の定性および定量分析をすれば検査用薄膜中に含まれる不純物の種類や含有量を特定することができ、CVD装置の稼働を止めずに反応室1内の不純物を検査することができる。

請求項（抜粋）：

反応室内に薄膜成分材料とH2とを含むガスを導入して、前記薄膜成分材料のH2に対する流量比が(薄膜成分材料)/H2=0.001〜0.01で前記反応室内の基板上にCVDにより薄膜を成膜することを特徴とする検査用薄膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 J