特許
J-GLOBAL ID:200903088953050501

基板加熱方法と基板加熱装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-057677
公開番号(公開出願番号):特開平5-259064
出願日: 1992年03月16日
公開日(公表日): 1993年10月08日
要約:
【要約】【目的】露光後ベ-クの短縮化を図り、エネルギ-線照射により発生した酸の拡散を抑制し、パターンの寸法制御性を向上させること。【構成】パターン照射後の基板3を支持台4に乗せ、これを冷却器5により冷却する。その後にエネルギ-線源1からのエネルギ-線2を基板3上のレジスト6に照射して露光後ベ-クを行う。【効果】ベ-ク時間を短縮化することができるために、エネルギ-線照射により発生した酸の拡散を抑制することができ、パターン寸法制御性を向上できる。また、ベ-ク時間短縮化により生産性の向上にも効果がある。
請求項(抜粋):
薄膜等が被着された基板に該基板の融点以下の温度で加熱処理を行う基板加熱方法において、該加熱処理開始前に該基板を冷却する処理を含めることを特徴とする基板加熱方法。

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