半導体集積回路装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-049748
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268214
出願日： 1993年03月11日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 SOI基板上に形成されたMISトランジスタにおいてオフ電流が流れるのを防止する。【構成】 SOI基板1を構成する埋込絶縁層3上の半導体層4に形成されたnMOS5およびpMOS6のゲート電極5g,6gを、半導体層4を構成する材料よりもバンドギャップの小さい材料を用いて構成した。

請求項（抜粋）：

絶縁層上に形成された半導体層に、MISトランジスタを有する半導体集積回路装置であって、前記MISトランジスタのゲート電極を、前記半導体層を構成する材料よりもバンドギャップの小さい材料を用いて構成したことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 29/784 , H01L 27/092

FI (3件)：

H01L 29/78 311 G , H01L 27/08 321 B , H01L 29/78 311 C

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