特許
J-GLOBAL ID：200903088959579350
半導体センサ
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-173566
公開番号（公開出願番号）：特開平8-015305
出願日： 1994年06月30日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：
【要約】【目的】 シリコン基板と接合部材との陽極接合時の熱による影響を受けず、かつ内部への異物の侵入を防止する半導体センサを提供する。【構成】 おもり部5と、おもり部5を囲む固定部2と、おもり部5を固定部2に支持する複数の梁部4とを備えたシリコン基板1と、おもり部5の変位により抵抗値の変化するピエゾ抵抗6と、ピエゾ抵抗6を安定保護するためにシリコン基板1の上面に形成した保護層12と、固定部2に接合される接合部材14,15と固定部2とで形成される収納部16と、接合部材14とシリコン基板1との接合面18に保護層12の厚みを介して半導体センサ17外部と収納部16とを連通する孔部20と、接合部材14の接合面18に孔部20と連通する溝からなる凹部21とを備えた半導体センサ17。
請求項（抜粋）：
おもり部と固定部と梁部とを備え、前記おもり部が前記梁部を介して前記固定部に支持されるとともに、前記おもり部の変位により抵抗値の変化するピエゾ抵抗を上面あるいは下面の少なくともどちらか一方に設けたシリコン基板と、このシリコン基板の固定部の上下面に接合される接合部材と、前記固定部と前記接合部材とで形成される前記おもり部を収納する収納部と、前記ピエゾ抵抗を保護するために前記シリコン基板上の少なくともピエゾ抵抗上に積層形成した保護層と、前記固定部と接合部材との接合面に設けた前記保護層の厚みを介して形成した前記収納部と外部とを連通する孔部と、前記固定部と接合部材との接合面であり前記固定部あるいは接合部材の少なくともどちらか一方に前記孔部と連通する凹部とを設けたことを特徴とする半導体センサ。
IPC (2件)：
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