特許

J-GLOBAL ID：200903088962508456

電界放出冷陰極素子、その製造方法、及び電界放出型表示装置

発明者： 福永 靖一 ,  曽根 浩二
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-091816
公開番号（公開出願番号）：特開2001-283714
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】 電界放出冷陰極から放出される電子ビームの電界放出効率を低下させることなく、電子ビームの広がりを防ぐことができる電界放出冷陰極素子を提供するものである。【解決手段】 導電性を持つ基板と、該基板上に形成し先端を先鋭化した電極と、該電極を形成した電極形成部を除いて上記基板上に形成した絶縁層と、該絶縁層上に積層し上記電極を取り囲む開口部を持つ制御電極と、から構成された電界放出冷陰極素子において、上記制御電極の開口部は、上記電極の底面よりも上記電極の先端部分の開口径を大きく形成するものとした。

請求項（抜粋）：

導電性を持つ基板と、該基板上に形成し先端を先鋭化した電極と、該電極を形成した電極形成部を除いて上記基板上に形成した絶縁層と、該絶縁層上に積層し上記電極を取り囲む開口部を持つ制御電極とを備えた電界放出冷陰極素子において、上記制御電極の開口部は、該制御電極の上端側の開口部を、該制御電極の下端側の開口部より大きく形成する、ことを特徴とする電界放出冷陰極素子。

IPC (4件)：

H01J 1/304 ,  H01J 9/02 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12

FI (4件)：

H01J 9/02 B ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C ,  H01J 1/30 F

Fターム (11件)：

5C031DD17 ,  5C036EE03 ,  5C036EE04 ,  5C036EE05 ,  5C036EE19 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF08 ,  5C036EG02 ,  5C036EG12 ,  5C036EH01