特許

J-GLOBAL ID：200903088970333894

ALCVDによるCuインターコネクトのための多層バリアメタル薄膜

発明者： ウェイ パン ,  ヨシ オノ ,  ダビッド ラッセル エバンス ,  シェン テン スー
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-089933
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329680
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【課題】 抗拡散能力、低抵抗率、高密度、改善された密着性等の優れた膜特性を有する多層バリアメタル薄膜およびその膜の形成方法を提供する。【解決手段】 本発明の集積回路は、多層バリアメタル薄膜構造を備える集積回路であって、基板と、原子層化学的気相成長のプロセスによって該基板上に堆積されたバリアメタル薄膜であって、バリアメタル薄膜は金属窒化物を含む、バリアメタル薄膜と、バリアメタル薄膜上に堆積された薄い銅膜とを備える。これにより、優れた膜特性を有する多層バリアメタル薄膜が得られる。

請求項（抜粋）：

多層バリアメタル薄膜構造を備える集積回路であって、基板と、原子層化学的気相成長のプロセスによって該基板上に堆積されたバリアメタル薄膜であって、該バリアメタル薄膜は金属窒化物を含む、バリアメタル薄膜と、該バリアメタル薄膜上に堆積された薄い銅膜とを備える、集積回路。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/285

FI (3件)：

H01L 21/28 301 R ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/285 C

Fターム (30件)：

4K030AA02 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA29 ,  4K030BA38 ,  4K030BA40 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104CC01 ,  4M104DD43 ,  4M104EE08 ,  4M104EE17 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104HH05 ,  4M104HH08 ,  4M104HH13 ,  4M104HH16

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 化学蒸着法による銅薄膜形成法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-370603   出願人：日本真空技術株式会社