特許
J-GLOBAL ID：200903088975101525
半導体装置とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
佐藤 正年 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-038537
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206201
出願日： 1992年01月28日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】 フィルムチップキャリアにおけるインナーリード部の薄肉化に伴うフィンガー強度の低下を補足し、半導体デバイスチップとの接合性を向上させて、金属配線の微細化を可能とし、高集積化された半導体装置を実現すること。【構成】 可撓性フィルム部材上に金属配線が形成されたチップキャリアに半導体デバイスチップを搭載してなる半導体装置において、半導体デバイスチップの端子部が、チップキャリアの金属配線形成面側から金属配線のインナーリード部に接続されており、インナーリード部の接続部の裏面側に、可撓性フィルム部材を貫通する熱伝導性材料の貫通柱が設けられているもの。
請求項（抜粋）：
可撓性フィルム部材の一方の面側に複数組の金属配線が形成されたチップキャリアに半導体デバイスチップを搭載してなる半導体装置において、前記半導体デバイスチップの端子部が、前記チップキャリアの金属配線形成面側から金属配線のインナーリード部に接続されており、前記インナーリード部の前記接続部の裏面側に、可撓性フィルム部材を貫通する熱伝導性材料の貫通柱が設けられていることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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