特許
J-GLOBAL ID：200903088978798640
タッチ位置検出装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小沢 信助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-119688
公開番号（公開出願番号）：特開平6-332604
出願日： 1993年05月21日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 経時劣化、製品ばらつきによる影響を除去すること。【構成】 透明抵抗体上の予め定めた少なくとも1か所以上の所定位置と所定位置の各々に対応する電圧値とをタッチ位置検出のときに参照される基準データとして記憶する不揮発メモリと、所定位置に実際のタッチ入力があったときに発生する電圧値による座標値が予め定めた範囲内にあるときに所定位置に対応した電圧値として不揮発メモリに記憶されている電圧値を更新する構成演算部とを設けたことを特徴とするタッチ位置検出装置。【効果】 長期間にわたって安定した高精細位置検出を実現することができる。
請求項（抜粋）：
両端に電極を有する2枚の透明抵抗体を電極が直交する方向に上下に間隔をあけて対向配置し、タッチ位置検出のとき、一方の透明抵抗体に電流を供給し、他方の透明抵抗体上のタッチ位置に対応して発生した電圧値を検出し、続いて電圧値を検出した側の前記透明抵抗体に電流を供給して他方の前記透明抵抗体に発生した電圧値を検出する切り換え操作を繰り返して2次元的にタッチ位置を検出するタッチ位置検出装置において、前記透明抵抗体上の予め定めた少なくとも1か所以上の所定位置と前記所定位置の各々に対応する電圧値とをタッチ位置検出のときに参照される基準データとして記憶する不揮発メモリと、前記所定位置に実際のタッチ入力があったときに発生する電圧値による座標値が予め定めた範囲内にあるときに前記所定位置に対応した電圧値として前記不揮発メモリに記憶されている前記電圧値を更新する構成演算部とを設けたことを特徴とするタッチ位置検出装置。
IPC (2件)：
G06F 3/03 315
, G06F 3/03 380
