特許
J-GLOBAL ID：200903088979458150
薄膜トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-318756
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013612
出願日： 1991年12月03日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】【目的】薄膜トランジスタアレイのゲート配線の配線間容量を低減して配線の時定数を下げる。【構成】タンタル膜からなるゲート電極2の表面にのみ酸化タンタル膜4を設けてゲート絶縁膜を酸化タンタル膜4と窒化シリコン膜5との積層構造として、ゲート配線はタンタル膜からなるゲート配線2aの表面にクロム膜からなるゲート配線3を被覆して高誘電率の酸化タンタル膜の形成を防止し、ソース・ドレイン配線7aとの層間絶縁膜を窒化シリコン膜5の単層とし、配線間容量を低減させる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に一体化して設けたタンタル膜からなるゲート電極及び第1のゲート配線と、前記第1のゲート配線の表面のみに被覆して設けた金属膜からなる第2のゲート配線と、前記ゲート電極の表面を酸化して設けた酸化タンタル膜と、前記ゲート電極を含む表面に設けた絶縁膜と、前記ゲート電極を含む領域上の前記絶縁膜上に設けた半導体層と、前記半導体層に接続して設けたソース・ドレイン電極と、前記ソース・ドレイン電極に接続し且つ前記第1及び第2のゲート配線上に前記絶縁膜を介して交差したソース・ドレイン配線とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
