特許

J-GLOBAL ID：200903088980981100

半導体発光素子

発明者： 門田 道雄
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-225063
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058918
出願日： 1998年08月07日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 絶縁基板の上に金属電極を設けて発光素子の下部電極として使用できる、下部電極の構造を提案する。【解決手段】 絶縁基板22の上に櫛歯状や格子状の電極膜23を設ける。電極膜23を介して絶縁基板22の上にGaN層(発光層)24を形成すると、絶縁基板22の露出領域を下地結晶としてGaN層24がエピタキシャル成長する。GaN層24の上面に上部電極26を設け、電極膜23と上部電極26の間に直流電圧を印加して発光させる。

請求項（抜粋）：

絶縁基板の上に部分的に金属膜を形成し、この金属膜を介して絶縁基板の上にInxGayAlzN(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表わされる化合物半導体層を形成したことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/30

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

Fターム (18件)：

5F041AA21 ,  5F041CA04 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA62 ,  5F041CA85 ,  5F041CA87 ,  5F041CA93 ,  5F041CB04 ,  5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB22 ,  5F073DA01 ,  5F073DA30 ,  5F073EA29