特許

J-GLOBAL ID：200903088982244900

半導体装置

発明者： 片岡 正行 ,  古川 彰彦 ,  高見 哲也 ,  大石 敏之 ,  和田 幸彦 ,  黒田 研一 ,  児島 一良
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-035794
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245409
出願日： 1994年03月07日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：

【要約】【目的】 PZT等の優れた特性を有する強誘電体絶縁膜を用いることのできる、また高周波、高電力化に対応できる耐酸化性の高い半導体材料を用いた半導体装置を提供することを目的とする。さらに、界面構造の乱れのないSOI基板や、FRAMが部分配置された半導体集積回路等を実現する。【構成】 耐酸化性半導体材料として、SiCまたは立方晶SiC、BN、YB66、チタン酸ストロンチウム、ダイヤモンドを用いた。さらに、配線材料として、低抵抗の銀や銅を用いるほか、強誘電体、配線材料半導体材料の格子定数を一致させた。また、耐酸化性半導体材料により構成されたFRAMを半導体集積回路に搭載し、高集積化を図った。

請求項（抜粋）：

絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(MISFET)を用いて構成される強誘電体記憶素子(FRAM)において、半導体部が耐酸化性の良好な半導体材料からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 29/78 311 B ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 371