特許
J-GLOBAL ID：200903088983538932
表面伝導形電子放出素子の製造方法と該製造方法にて製造された表面伝導形電子放出素子、並びに該素子を用いた電子源及び画像形成装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-331103
公開番号（公開出願番号）：特開平7-192614
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【目的】 表面伝導形電子放出素子の製造工程における、素子劣化や電子放出特性のバラツキを低減させ、均一な電子放出特性を有する表面伝導形電子放出素子を提供することを目的とする。【構成】 電極間に、電子放出部を含む薄膜を有する表面伝導形電子放出素子の製造方法において、該電子放出部の形成工程が、該電極間にパルス電圧を印加する工程と、該パルス電圧の波高値をステップ状に増加させる(図4)工程とを有することを特徴とする表面伝導形電子放出素子の製造方法と、該製造方法にて製造された素子、および該素子を用いた電子源、画像形成装置。
請求項（抜粋）：
電極間に、電子放出部を含む薄膜を有する表面伝導形電子放出素子の製造方法において、該電子放出部の形成工程が、該電極間にパルス電圧を印加する工程と、該パルス電圧の波高値をステップ状に増加させる工程とを有することを特徴とする表面伝導形電子放出素子の製造方法。
引用特許：
前のページに戻る
