特許

J-GLOBAL ID：200903088984460805

薄膜太陽電池

発明者： 横山 敬志 ,  山本 和馬 ,  三島 孝博 ,  松田 豪
出願人/特許権者： 大同ほくさん株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-283804
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129907
出願日： 1995年10月31日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】エッチングによってわざわざテクスチャ構造を付与する必要のない、優れた構造の薄膜太陽電池を提供する。【解決手段】(100)単結晶Si基板上に、液相成長法によってSi結晶薄膜が形成され、その結晶析出表面が、各ピラミッド状突起51の底辺Wが1〜500μmのテクスチャ構造となっている。

請求項（抜粋）：

(100)単結晶Si基板上に、液相成長法によってSi結晶薄膜が形成され、この薄膜の結晶析出表面が、それ自身の結晶配向に基づく(111)傾斜面によってテクスチャ構造となっており、上記テクスチャ構造を構成する各ピラミッド状突起の底辺が1〜500μmであることを特徴とする薄膜太陽電池。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  C30B 29/06 501 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

H01L 31/04 A ,  C30B 29/06 501 B ,  H01L 21/208 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-284881
  
• 特開平3-284881