特許

J-GLOBAL ID：200903088987451556

フレキシブルシリコンひずみゲージ

発明者： ボッグス,ブラッドレイ ジェイ ,  ジャスト,マルカス エス ,  バング,クリストファー エイ ,  スターク,ケヴィン シー
出願人/特許権者： ロゼマウント エアロスペイス インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 濱田 俊明
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-562727
公開番号（公開出願番号）：特表2002-521832
出願日： 1999年07月27日
公開日（公表日）： 2002年07月16日
要約：

【要約】ひずみ検知電極と、ひずみ検知電極をサポートする略フレキシブルな基板からなる略フレキシブルなひずみゲージである。ひずみ検知電極は単結晶あるいは多結晶半導体素材からなる。発明はまた、その上に位置するベース素材と単結晶あるいは多結晶半導体素材部とを有するウエファを選択する段階からなる略フレキシブルなひずみゲージを形成する方法を含む。この方法はさらに、半導体素材から検知電極をエッチングする段階と、前記検知電極上に略フレキシブルな基板を形成する段階とからなる。

請求項（抜粋）：

単結晶あるいは多結晶構造を有する半導体製のひずみ検知電極と、前記ひずみ検知電極を支持する略フレキシブルな基板とからなる略フレキシブルなひずみゲージ。

IPC (2件)：

H01L 29/84 ,  G01L 1/22

FI (2件)：

H01L 29/84 Z ,  G01L 1/22 M

Fターム (11件)：

2F049CA07 ,  2F049DA01 ,  2F049DA04 ,  4M112CA42 ,  4M112CA45 ,  4M112CA48 ,  4M112DA03 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA11 ,  4M112EA20