特許

J-GLOBAL ID：200903088991420436

レーザー処理方法

発明者： 張 宏勇
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-191938
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035807
出願日： 1992年10月21日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】パルスレーザーを用いたレーザーアニール等のレーザー処理方法に関して、歩留まり、再現性、良好な特性が安定に得られるための方法を提供する。【解決手段】レーザー装置から発生するレーザーパルスを被照射体に照射するレーザー処理方法において、前記レーザーパルスは、少なくとも2つのピークを有していることを特徴とするレーザー処理方法である。

請求項（抜粋）：

レーザー装置から発生するレーザーパルスを被照射体に照射するレーザー処理方法において、前記レーザーパルスは、少なくとも2つのピークを有していることを特徴とするレーザー処理方法。

IPC (6件)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/268 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/316 P ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-267578
  
• 特開平4-102311
  
• 特開昭63-105970