特許

J-GLOBAL ID：200903088992661330

半導体装置

発明者： 九嶋 忠雄 ,  田中 明 ,  斎藤 隆一 ,  鈴木 和弘
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-011465
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216332
出願日： 1999年01月20日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】パワー半導体装置の絶縁耐電圧性を向上する。【解決手段】絶縁基板(3a)上の導電パターン(3b)端部と絶縁基板端部との間の絶縁基板の沿面に高絶縁耐電圧性樹脂剤(4)を設けるとともに、絶縁基板の端部とケース構造体との間のベース板表面を高絶縁耐電圧性樹脂剤(7)で覆う。【効果】高絶縁耐電圧性樹脂剤(4,7)により、絶縁耐圧及びその信頼性が向上する。

請求項（抜粋）：

半導体チップと、前記半導体チップが接合される導電パターンを有する絶縁基板と、前記絶縁基板が搭載されるベース板と、前記ベース板の外周部に接着されるケース構造体と、前記ケース構造体内に充填される絶縁性ゲル剤と、を備え、さらに、前記導電パターンの端部と前記絶縁基板の端部との間の前記絶縁基板の沿面に設けられる第1の絶縁性樹脂と、前記絶縁基板の前記端部と前記ケース構造体との間における前記ベース板の表面を覆う第2の絶縁性樹脂と、を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3件)：

H01L 25/04 C ,  H01L 23/28 K ,  H01L 23/30 B

Fターム (11件)：

4M109AA02 ,  4M109BA03 ,  4M109CA02 ,  4M109DB09 ,  4M109DB16 ,  4M109EA02 ,  4M109EA07 ,  4M109EA10 ,  4M109EC07 ,  4M109EE02 ,  4M109EE06