特許
J-GLOBAL ID：200903088998501423
半導体スイッチング素子の保護装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丹羽 宏之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-149542
公開番号（公開出願番号）：特開平5-344642
出願日： 1992年06月09日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 配線が簡単で、動作停止を伴うことのない半導体スイッチング素子の保護装置を提供する。【構成】 本発明は、MOS-FET,バイポーラトランシスタ等のスイッチング素子のオン電圧(飽和電圧)が使用環境温度の上昇や負荷電流の上昇に応じて上昇することに着目して、スイッチング素子の保護を行う。図1で、スイッチング素子TR1のオン電圧を素子D1,C1,R1の回路で検出する。検出電圧は、オペアンプOP1で所定電圧と比較し、所定電圧を超えたときPWM回路IC2に誤差信号と共にフィードバックされる。これにより、オン電圧が所定値を超えると、スイッチング素子TR1のデューティが制限され、同素子TR1の保護が行われる。
請求項（抜粋）：
オンオフ制御を行う半導体スイッチング素子と、この半導体スイッチング素子のオン電圧を検出するオン電圧検出手段と、このオン電圧検出手段の出力が所定値を超えたとき前記半導体スイッチング素子のデューティを制限するデューティ制限手段とを備えたことを特徴とする半導体スイッチング素子の保護装置。
IPC (2件)：
前のページに戻る
