特許

J-GLOBAL ID：200903089001261580

分離型多結晶シリコン内構成体の製造方法

発明者： ロバート ルイス ホッジス ,  フランク アール. ブライアント
出願人/特許権者： エスジーエス-トムソン マイクロエレクトロニクス, インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 小橋 一男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-179927
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153969
出願日： 1994年08月01日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【目的】 集積回路装置の一層又はそれ以上の多結晶シリコン層の隣接する多結晶シリコン層内コンポーネント間の分離を向上させる。【構成】 一層又はそれ以上の多結晶シリコン層をパターン形成し次いで約1×1017/cm2 乃至1×1019/cm2 の範囲内において高ドーズの酸素又は窒素でイオン注入を行なうことによって、集積回路装置の一層又はそれ以上の多結晶シリコン層の隣接した多結晶シリコン層内コンポーネント間の分離を向上させる。イオン注入後のアニールを窒素又はアルゴンのいずれかの雰囲気内において実施し、所望の平坦な特性を有する二酸化シリコン又は窒化シリコンのいずれかの層を形成する。このアニールは、約1,000乃至1,400°Cの温度において実施する。

請求項（抜粋）：

多層多結晶シリコン集積回路の一部の製造方法において、第一導電型を有する第一多結晶シリコン層を形成し、第二導電型を有しており且つ前記第一多結晶シリコン層とのコンタクト領域を有する第二多結晶シリコン層を形成し、集積回路の活性領域の上方ではない前記第二多結晶シリコン層の部分を高ドーズ物質でイオン注入し、前記第二多結晶シリコン層をアニールして絶縁層を形成する、上記各ステップを有することを特徴とする方法。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/8244 ,  H01L 27/11

FI (5件)：

H01L 29/78 311 R ,  H01L 21/265 J ,  H01L 21/76 R ,  H01L 21/88 P ,  H01L 27/10 381