特許

J-GLOBAL ID：200903089008980949

セラミックス回路基板

発明者： 高橋 孝 ,  安本 恭章
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-058638
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255973
出願日： 1995年03月17日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【目的】 熱サイクルの付加等に対して高い接合信頼性が得られると共に、部分的な接合不良等の発生を防止し得るセラミックス回路基板を提供する。【構成】 窒化アルミニウム基板1の主面上に、Al、Ni、 Ni-Cr、Ti、Cu等からなる金属薄膜2、3を形成する。これら金属薄膜2、3を介して、窒化アルミニウム基板1の主面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる回路板(アルミニウム回路板)4、5が固相接合されたセラミックス回路基板6である。アルミニウム回路板4、5の表面には、Niまたは Ni-Cuメッキ7等が施される。

請求項（抜粋）：

窒化アルミニウム基板と、前記窒化アルミニウム基板の主面上に形成された接合層と、前記接合層を介して前記窒化アルミニウム基板の主面に固相接合されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる回路板とを具備することを特徴とするセラミックス回路基板。

IPC (4件)：

H05K 3/38 ,  C04B 37/02 ,  H05K 3/20 ,  H05K 3/22

FI (4件)：

H05K 3/38 C ,  C04B 37/02 B ,  H05K 3/20 Z ,  H05K 3/22 C