特許
J-GLOBAL ID：200903089012030130
電解水生成方法及びその生成装置、半導体製造装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-113996
公開番号（公開出願番号）：特開平8-283976
出願日： 1995年04月15日
公開日（公表日）： 1996年10月29日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板が損傷されず、洗浄工程におけるランニングコストの低減及び排水の無公害化、作業環境の安全性向上を可能にする純水又は超純水を電気分解するための固体の支持電解質を提供する。【構成】 電解水の生成するための支持電解質は、蓚酸、蓚酸アンモニウム、蟻酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、酒石酸アンモニウムの中から選ばれた少なくとも1つからなる。溶解槽5で蓚酸の飽和溶液が形成され、溶液槽6でこの蓚酸の飽和溶液21を純水又は超純水に混合して蓚酸の希釈溶液をつくり、これを電気分解するので濃度制御も容易である。優れたコンタミネーション除去能力を持つので、これをシリコン半導体基板洗浄に用いる。
請求項（抜粋）：
蓚酸、蓚酸アンモニウム、蟻酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、酒石酸アンモニウムの中から選ばれた少なくとも1つの固体の支持電解質を純水又は超純水に添加する工程と、前記支持電解質が添加された純水又は超純水を電気分解して陽極水及び陰極水を生成する工程とを備えていることを特徴とする電解水の生成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
前のページに戻る
