特許
J-GLOBAL ID：200903089019072890
Tiのエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-096657
公開番号（公開出願番号）：特開平6-287775
出願日： 1993年03月31日
公開日（公表日）： 1994年10月11日
要約：
【要約】【目的】 Tiの微細なエッチングを室温下でフォトレジストを使用して行う。【構成】 図(A)に示すように、GaAs基板1上にn型GaAs導電層2を形成し、その上に電極3a,3b,3cを設ける。そして、図(B)に示すように、SiN膜4を成膜し、フォトリソグラフィー法及びドライエッチング法により、各電極3a,3b,3c上のSiN膜4をエッチングして、窓明けを行う。さらに、図(C)に示すように、真空蒸着法によって、Ti層5及びAu層6を順次形成した後、フォトレジスト7を設けて各電極3a,3b,3c上にボンディング電極用のパターンを形成する。その後、図(D)に示すように、ヨウ素系エッチング溶液でフォトレジスト7から露出しているAu層6を除去し、さらに、液温25°C、容量混合比1:20のアンモニア水と過酸化水素水の混合液をエッチング溶液として、露出しているTi層5をエッチング除去する。
請求項（抜粋）：
主としてTiからなる無機物をエッチングするTiのエッチング方法であって、前記主としてTiからなる無機物上に所望のパターンのレジストを形成した後、アンモニアと酸化剤とを含むエッチング溶液を用いて前記主としてTiからなる無機物をエッチングすることを特徴とするTiのエッチング方法。
IPC (3件)：
C23F 1/38
, H01L 21/28 301
, H01L 21/308
