Ga2O3系半導体素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平田忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-071816
公開番号（公開出願番号）：特開2005-260101
出願日： 2004年03月12日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：

【課題】 Ga2O3系化合物を半導体として用い、これに適合したオーミック特性が得られる電極を有するとともに、オーミック特性を得るための熱処理を不要とすることが可能なGa2O3系化合物半導体を提供する。【解決手段】 n型β-Ga2O3基板2の下面に、PLD法により少なくともTi層からなるn型電極20を形成する。このn電極20は25°Cにおいてオーミック特性を有する。n型電極20は、Ti層およびAu層からなる2層、Ti層、Al層およびAu層からなる3層、あるいはTi層、Al層、Ni層およびAu層からなる4層であってもよい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

n型導電性を有するGa2O3化合物半導体からなるn型層と、前記n型層上に形成されたTi層からなる電極とを備えたことを特徴とするGa2O3系半導体素子。

IPC (2件)：

H01L33/00 , H01L21/28

FI (2件)：

H01L33/00 E , H01L21/28 301B

Fターム (20件)：

4M104AA03 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104FF13 , 4M104GG04 , 4M104HH15 , 5F041AA03 , 5F041AA24 , 5F041CA04 , 5F041CA14 , 5F041CA46 , 5F041CA82 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041CA98 , 5F041DA02

引用特許：

出願人引用 (1件)

特許第2778405号公報(図1)

審査官引用 (7件)

発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-137912 出願人：株式会社光波
オーミック電極
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-021983 出願人：ソニー株式会社
光電子集積回路用薄膜抵抗およびレーザダイオードアレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-009795 出願人：ノーザン・テレコム・リミテッド

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