特許

J-GLOBAL ID：200903089023838512

レジスト及びレジストパターンの形成方法

発明者： 並木 崇久 ,  矢野 映 ,  渡部 慶二 ,  野崎 耕司 ,  五十嵐 美和 ,  今 純一 ,  丸山 隆司 ,  坂上 拡
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-130694
公開番号（公開出願番号）：特開平11-327143
出願日： 1998年05月13日
公開日（公表日）： 1999年11月26日
要約：

【要約】【課題】微細パターン形成に使用されるレジスト材料とそのレジストのパターニング方法に関し、解像度と感度の双方を良好にすること。【解決手段】酸によって分解する置換基を含むポリマーと、電離放射線の照射により酸を発生する酸発生剤と、キヌキリジン又は1,4-ジアザビシクロ-〔2,2,2〕オクタン又はこれらの誘導体と酸からなる塩を含むレジスト3を下地2の上に塗布する工程と、前記レジスト3を電離放射線を用いて露光する工程と、前記レジスト3をアルカリ水溶液で現像する工程とを含み構成する。

請求項（抜粋）：

酸によって分解する置換基を含むポリマーと、電離放射線の照射により酸を発生する酸発生剤と、キヌクリジン又は1,4-ジアザビシクロ-〔2,2,2〕オクタン又はこれらの誘導体と酸からなる塩とを含むことを特徴とするレジスト。

IPC (3件)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/30 502 R