特許
J-GLOBAL ID：200903089030697010
半導体ウエハ上の異物検査方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-250334
公開番号（公開出願番号）：特開平7-270144
出願日： 1984年10月29日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】半導体ウエハ上に存在する2μm以下の微小異物を高信頼度で高速に検査でき、高歩留まりで製造できるようにした半導体ウエハ上の異物検査方法を提供する。【構成】半導体固体撮像素子アレイ20において配列された方形形状の各受光部の大きさと拡大集光光学系の拡大結像倍率との関係を、各受光部が、回路パターンが形成された半導体ウエハ1の表面上において約10μm×10μm以下の方形形状の部分を受光すべく検出光学系を設定し、光源15により直線偏光レーザ光を照明して半導体ウエハ1の表面に対してほぼ垂直方向に生じる散乱光を集光して拡大結像すると共に集光された散乱光の内、回路パターンのエッジから発生する直線偏光散乱光を検光子13により遮光して得られる直線偏光以外の散乱光を、各受光部で受光して、各受光部から出力される信号に基づいて半導体ウエハ1表面上の2μm以下の大きさを有する微小異物を検査する。
請求項（抜粋）：
1.半導体固体撮像素子アレイにおいて配列された方形形状の各受光部の大きさと拡大集光光学系の拡大結像倍率との関係を、検光子を通して得られる直線偏光以外の散乱光の内各受光部において受光する回路パターンのエッジから生じる散乱光量に比べて半導体ウエハの表面上の2μm以下の大きさの微小異物から生じる散乱光量が大きくなるように前記各受光部が、前記回路パターンが形成された半導体ウエハの表面上において約10μm×10μm以下の方形形状の部分を受光すべく検出光学系を設定し、前記半導体ウエハの表面からの反射光像を前記拡大集光光学系を通して光電変換手段で受光して該光電変換手段から得られる信号に基づいて前記半導体ウエハを上下方向に微動して半導体ウエハの表面を照明光学系および前記検出光学系に対して合焦点状態に制御し、該合焦点状態に制御された半導体ウエハの表面上に、前記照明光学系により前記半導体ウエハ面に対して5°以下の傾斜角度でもって直線偏光レーザ光を照明して該照明された直線偏光レーザ光によって前記半導体ウエハの表面上から反射して該半導体ウエハの表面に対してほぼ垂直方向に生じる散乱光を前記拡大集光光学系により集光して拡大結像すると共に該拡大結像して集光された散乱光の内、回路パターンのエッジから発生する前記直線偏光散乱光を前記検光子により遮光して得られる直線偏光以外の散乱光を、前記半導体固体撮像素子アレイの各受光部で受光して、該半導体固体撮像素子アレイの各受光部から出力される信号に基づいて回路パターンを有する半導体ウエハの表面上の2μm以下の大きさを有する微小異物を検査することを特徴とする半導体ウエハ上の異物検査方法。
IPC (3件)：
G01B 11/30
, G01N 21/88
, H01L 21/66
