特許

J-GLOBAL ID：200903089031269772

低抵抗透明導電膜及びその製造法

発明者： 川村 裕明 ,  竹井 日出夫 ,  石橋 暁
出願人/特許権者： 株式会社アルバック
代理人 (1件)： 打揚 洋次 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-050300
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249125
出願日： 2002年02月26日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：

【要約】【課題】 焼結温度が低く、かつ、焼結後の電気抵抗が小さい透明導電膜の製造法及び得られた低抵抗透明導電膜の提供。【解決手段】 ITO等の透明導電膜形成用金属酸化物の微粒子の分散液を被処理基板上に塗布し、大気中で150〜200°Cで燒結して多孔質透明導電膜を形成し、次いで、酸素又はオゾンを含むガスとハロゲン化インジウムガス又は有機インジウムガスとの混合ガス雰囲気中で100〜250°Cで加熱して成膜する。多孔質導電膜中の空孔が、酸素と有機インジウムとの反応により生成されたインジウム酸化物で充填されている。

請求項（抜粋）：

透明導電膜形成用金属酸化物の微粒子を酸素又はオゾンを含むガスとハロゲン化金属ガス又は有機金属化合物ガスとの混合ガス雰囲気中で100〜250°Cで焼結した、該金属酸化物からなる多孔質透明導電膜中の空孔が酸素又はオゾンとハロゲン化金属又は有機金属化合物との反応により生成された金属酸化物で充填されている構造を有する低抵抗透明導電膜。

IPC (6件)：

H01B 5/14 ,  C04B 35/495 ,  C04B 35/64 ,  H01B 13/00 503 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/28

FI (6件)：

H01B 5/14 A ,  H01B 13/00 503 B ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/28 ,  C04B 35/64 A ,  C04B 35/00 J

Fターム (30件)：

3K007AB05 ,  3K007AB18 ,  3K007CB01 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4G030AA08 ,  4G030AA24 ,  4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA39 ,  4G030AA42 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030CA08 ,  4G030GA17 ,  4G030GA20 ,  4G030GA24 ,  4G030GA27 ,  5G307FA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC03 ,  5G307FC05 ,  5G323BA02 ,  5G323BA03 ,  5G323BA04 ,  5G323BB01 ,  5G323BB02 ,  5G323BB03 ,  5G323BC01

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭62-064004
  
• 透明導電膜およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-007053   出願人：松下電器産業株式会社
• 透明導電膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-236035   出願人：旭硝子株式会社