特許
J-GLOBAL ID：200903089031974034
半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-083691
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284794
出願日： 1997年04月02日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：
【要約】【課題】 量子井戸構造を有する活性層の表面ラフネスを低減することにより量子井戸幅の均一性の向上を図り、特性の良好な半導体レーザを提供する。【解決手段】 基板として(001)面からオフした主面を有するn型GaAs基板1を用い、MQW活性層5を有するSCH構造の半導体レーザにおいて、n型GaAs基板1とMQW活性層5との間、具体的には、n型AlGaInPクラッド層2とn型AlGaInP光導波層4との間に、MQW活性層5からの光を吸収しないラフネス整形層3を設ける。ラフネス整形層3をn型GaInP層3aとn型AlGaInP層3bとが交互に積層された超格子構造を有する多層膜により構成する。この場合、n型GaInP層3aの厚さを3nm、n型AlGaInP層3bの厚さを3nmとし、n型GaInP層3aが5層となるようにn型GaInP層3aとn型AlGaInP層3bとを交互に積層する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、上記半導体基板上の第1導電型の第1のクラッド層と、上記第1のクラッド層上の量子井戸構造を有する活性層と、上記活性層上の第2導電型の第2のクラッド層とを有する半導体レーザにおいて、上記半導体基板と上記活性層との間に上記活性層からの光を吸収しないラフネス整形層が少なくとも一層設けられていることを特徴とする半導体レーザ。
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