特許

J-GLOBAL ID：200903089033907415

磁気抵抗効果素子及び磁気記録装置

発明者： 上 口 裕 三 ,  湯 浅 裕 美 ,  佐 橋 政 司 ,  岩 崎 仁 志
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-374033
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252548
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】 スペキュラースピンバルブ膜の大きなMR変化率を維持したうえで、良好な磁化固着膜のバイアス特性と両立させるとともに、軟磁気特性を改善した磁気抵抗効果素子を具備する磁気ヘッド及び磁気記録装置を提供することを目的とする。【解決手段】 磁化固着層と、フリー層と、これらの間に設けられた非磁性中間層と、を有し、磁化固着層が、第1の強磁性体金属層と、前記第1の強磁性体金属層の上に設けられた第1の非金属層と、前記第1の非金属層の上に設けられ前記第1の非金属層とは異なる組成を有する第2の非金属層と、前記第2の非金属層の上に設けられた第2の強磁性体金属層と、を有する磁気抵抗効果素子。

請求項（抜粋）：

第1の磁性層と、第2の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に設けられた非磁性中間層と、を有するスピンバルブ膜を備えた磁気抵抗効果素子であって、前記第1の磁性層と前記第2の磁性層の少なくともいずれかは、第1の強磁性体金属層と、前記第1の強磁性体金属層の上に設けられた第1の非金属層と、前記第1の非金属層の上に設けられ前記第1の非金属層とは異なる組成を有する第2の非金属層と、前記第2の非金属層の上に設けられた第2の強磁性体金属層と、を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (2件)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39

FI (2件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 磁気抵抗効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-111419   出願人：株式会社東芝