特許

J-GLOBAL ID：200903089034136668

窒化シリコン膜の紫外線強化されたドライ・ストリッピング

発明者： デビッド シー.グレー ,  ジェフリー ダブリュ.バターボー
出願人/特許権者： エフエスアイ インターナショナル
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-206303
公開番号（公開出願番号）：特開平8-107090
出願日： 1995年08月11日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：

【要約】【課題】高温の燐酸溶液の使用がもたらす安全及び環境等に対する問題を解消し、更にはプラズマの使用が及ぼすウェハに対する損傷等の悪影響を排除し、窒化シリコン膜の容易かつ迅速な選択的除去を可能にする基板からの窒化シリコン膜の除去方法の提供。【解決手段】基板10から窒化シリコン16を除去する方法であって、少なくとも1つの第1のガス及び少なくとも1つの第2のガスを有する雰囲気中に基板を配置する工程と、前記第1のガスが原子状フッ素を形成すべく紫外線照射により光解離し得るフッ素含有ガスであり、前記第2のガスが原子状塩素または原子状臭素を形成すべく紫外線照射により光解離し得る塩素含有ガスまたは臭素含有ガスであることと、基板10を前記雰囲気中において紫外線に対して露出させる工程とを含む方法を提供する。

請求項（抜粋）：

基板から窒化シリコンを除去する方法であって、少なくとも1つの第1のガス及び少なくとも1つの第2のガスを有する雰囲気中に基板を配置する工程と、前記第1のガスが原子状フッ素を形成すべく紫外線照射により光解離し得るフッ素含有ガスであり、前記第2のガスが原子状塩素または原子状臭素を形成すべく紫外線照射により光解離し得る塩素含有ガスまたは臭素含有ガスであることと、基板を前記雰囲気中において紫外線に対して露出させる工程とを含む方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/302 Z ,  H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平1-101632