特許
J-GLOBAL ID：200903089036601317
絶縁ゲート型半導体素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-043043
公開番号（公開出願番号）：特開2000-312003
出願日： 2000年02月21日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：
【要約】【課題】 良好な半導体素子特性を得るために好ましい炭化珪素基板を用いながらも、絶縁耐圧を高く維持できるトレンチ構造を有する絶縁ゲート型半導体素子を提供する。【解決手段】 炭化珪素基板の表面をエッチングして凹部を形成し、次いでこの表面上方からイオン線などの粒子線を照射して、少なくとも凹部底面に損傷層を形成する。さらに酸化雰囲気中で熱処理して、少なくとも凹部側面と底面とに絶縁膜を形成し、この絶縁膜上にゲート電極を形成する。この方法によれば、炭化珪素基板の表面が、β-SiCの(111)Si面、α-SiCの(0001)Si面のように結晶性が良好なエピタキシャル成長層が得られる面であっても、凹部底面における絶縁膜の膜厚を凹部側面における膜厚よりも厚くして絶縁耐圧を確保できる。
請求項（抜粋）：
炭化珪素基板の表面をエッチングして前記表面に凹部を形成する工程と、前記表面の上方から粒子線を照射することにより、少なくとも前記凹部の底面に損傷層を形成する工程と、前記炭化珪素基板を酸化雰囲気中で熱処理することにより、少なくとも前記凹部の側面と前記損傷層が形成された前記底面とに、炭化珪素を酸化した絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする絶縁ゲート型半導体素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/78 652
, H01L 29/78 653
, H01L 21/265
, H01L 21/336
H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 653 A
, H01L 21/265 Q
, H01L 29/78 658 F
