マスク修正方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菅野中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-006713
公開番号（公開出願番号）：特開平11-202475
出願日： 1998年01月16日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】マスクの黒欠陥(遮光部が大きくなった欠陥:凸欠陥,開口部のつぶれ等)によって半導体基板上に転写されるマスク像の寸法を調整する。【解決手段】黒欠陥(遮光部が大きくなった欠陥:凸欠陥,開口部のつぶれ等)の修正において、欠陥の生じた補助パターンの寸法を大きくなるように修正し、その修正後の寸法より適切な透過率を計算し、修正部の透過率を低下させることにより、半導体基板上に転写されるマスク像の寸法を目的の値となるように修正する。

請求項（抜粋）：

遮光領域と透明領域が形成された透過型マスクの黒欠陥のマスク修正方法であって、前記黒欠陥部の遮光領域を設計寸法より小さくなるように修正し、その後に修正個所寸法を測定し、修正個所の転写像が本来の欠陥がない場合の転写像になるように修正部近傍の透明領域の透過率を低下させることを特徴とするマスク修正方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 1/08 W , H01L 21/30 502 W

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-139647
マスクパターンの欠陥修正方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-331251 出願人：ホーヤ株式会社
特開平2-046459

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