特許

J-GLOBAL ID：200903089047172710

FRIT-レーザーイオン源

発明者： 大塚紀一郎
出願人/特許権者： 日本電子株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-317085
公開番号（公開出願番号）：特開2000-146914
出願日： 1998年11月09日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
要約：

【要約】【課題】FRITプローブを大気圧下でも使用できるようにすると共に、質量数が8000よりも大きな試料をイオン化することができるイオン源を提供する。【解決手段】多孔質部材で構成されたFRITプローブの先端部にレーザー光を照射することによって、FRITプローブ先端部から滲出する試料をイオン化するようにした。

請求項（抜粋）：

多孔質部材で構成されたFRITプローブの先端部にレーザー光を照射することによって、FRITプローブ先端部から滲出する試料をイオン化するようにしたことを特徴とするFRIT-レーザーイオン源。

IPC (4件)：

G01N 27/62 ,  G01N 27/64 ,  H01J 49/10 ,  H01J 27/24

FI (4件)：

G01N 27/62 X ,  G01N 27/64 B ,  H01J 49/10 ,  H01J 27/24

Fターム (4件)：

5C030DD08 ,  5C030DE10 ,  5C030DG09 ,  5C038GG07

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-241250
  
• イオン化分析装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-125137   出願人：浜松ホトニクス株式会社