特許

J-GLOBAL ID：200903089047701232

半導体装置

発明者： 中平 亨
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-139600
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335523
出願日： 1997年05月29日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】外囲樹脂ケースに注入するゲル状封止樹脂の充填量を減らして樹脂の溢れ出しを防ぎつつ、異極端子間で必要な絶縁を確保できるよう改良する。【解決手段】IGBT素子1、セラミックス基板2、金属ベース3、外囲樹脂ケース4、エミッタ,コレクタ,ゲートの各端子フレーム5,6,7、および樹脂ケース内に充填したシリコーンゲル9とで構成したIGBTモジュールにおいて、エミッタ,コレクタの端子フレームを上下に相対位置をずらして樹脂ケース内に布設し、各端子フレームから立ち上がるエミッタ,コレクタの主端子片5b,6bを外囲樹脂ケースの上面に引き出すとともに、上位側に布設したエミッタ端子フレームに対しては、その主端子片の立ち上がり基部を含む周域を外囲樹脂ケースと同材の成形樹脂10で封止してシリコーンゲルの上方に露呈させ、下位側のコレクタ端子フレームをシリコーンゲルに埋没させて封止する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板の導体パターンにマウントした半導体素子と、絶縁基板を搭載した放熱用金属ベースと、金属ベースに組合せた端子ケース兼用の上蓋付き外囲樹脂ケースと、外囲樹脂ケースの内方に布設してその脚部を絶縁基板の導体パターンにはんだ接合した半導体素子の各電極に対応する外部導出端子用の端子フレームとからなり、前記各端子フレームから立ち上がる主端子片を外囲樹脂ケースの上面側に並べて引き出すとともに、外囲樹脂ケース内にゲル状封止樹脂を充填した半導体装置において、異極の主回路端子フレームを上下に相対位置をずらして外囲樹脂ケースの内方に布設するとともに、上位側に布設した端子フレームに対しては、少なくとも主端子片の立ち上がり基部を含む周域を外囲樹脂ケースと同材で封止し、下位側に布設した端子フレームを外囲樹脂ケース内に注入したゲル状封止樹脂で封止したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/24 ,  H01L 23/28 ,  H01L 29/78

FI (7件)：

H01L 23/12 K ,  H01L 23/24 ,  H01L 23/28 A ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/12 Q ,  H01L 29/78 652 Q ,  H01L 29/78 655 Z