特許

J-GLOBAL ID：200903089051011623

配線回路基板とその製造方法

発明者： 飯島 朝雄 ,  遠藤 仁誉 ,  大平 洋 ,  上野 崇
出願人/特許権者： 株式会社ノース ,  デプト株式会社
代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-132793
公開番号（公開出願番号）：特開2004-335926
出願日： 2003年05月12日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：

【課題】バンプを層間接続手段とする配線回路基板のバンプとそれに接続される金属層との接合部に酸化物が介在しないようにし、その接合部における電気的抵抗を小さくし、機械的強度を強くする。【解決手段】銅からなる第1の配線層24の表面部に銅からなるバンプ12を形成し、配線層24のバンプ12の形成されていない部分に層間絶縁膜16を形成し、層間絶縁膜16上にバンプ12の頂面と接する、銅からなる第2の配線層26を積層した配線回路基板において、バンプ12と、それに接する第2の配線層26との少なくとも接合部に、銅を主成分とし、Mo,Cr,Ta,Si,W,V,Al,Nbを少なくとも1種類以上添加されてなる合金層20を介在せしめる。該合金層20の上記添加金属の組成比は0.1〜5.0重量%が好適である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

銅からなる第1の金属層或いは第1の配線層の表面部に直接に又はエッチングバリア層を介して銅からなる複数のバンプを形成し、上記第1の金属層或いは第1の配線層のバンプ形成面の上記バンプの形成されていない部分に層間絶縁膜を形成し、該層間絶縁膜上に、上記各バンプの頂面と接する、銅からなる第2の配線層或いは第2の金属層、又は該第2の配線層或いは該第2の金属層を有する配線基板を積層した配線回路基板において、 上記バンプと、それと接する上記第2の配線層或いは第2の金属層との少なくとも接合部に、銅を主成分とし、Mo,Cr,Ta,Si,W,V,Al,Nbを少なくとも1種類以上添加されてなる合金が存在せしめられてなる ことを特徴とする配線回路基板。

IPC (3件)：

H05K1/11 ,  H05K3/40 ,  H05K3/46

FI (4件)：

H05K1/11 L ,  H05K3/40 H ,  H05K3/46 G ,  H05K3/46 N

Fターム (40件)：

5E317AA24 ,  5E317BB12 ,  5E317BB17 ,  5E317BB18 ,  5E317CC08 ,  5E317CC25 ,  5E317CD01 ,  5E317CD25 ,  5E317CD27 ,  5E317GG03 ,  5E317GG09 ,  5E346AA06 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA22 ,  5E346AA32 ,  5E346AA35 ,  5E346AA43 ,  5E346AA51 ,  5E346BB16 ,  5E346CC02 ,  5E346CC08 ,  5E346CC32 ,  5E346CC34 ,  5E346CC35 ,  5E346CC36 ,  5E346DD02 ,  5E346DD12 ,  5E346DD32 ,  5E346EE06 ,  5E346EE09 ,  5E346EE13 ,  5E346EE18 ,  5E346EE38 ,  5E346FF22 ,  5E346GG19 ,  5E346GG22 ,  5E346GG28 ,  5E346HH11 ,  5E346HH13