特許
J-GLOBAL ID：200903089051365808
太陽電池の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-227720
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097454
出願日： 1994年09月22日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【目的】 多結晶シリコン基板の表面へ面方位に依存しない溝または凹部を形成し、表面反射率を低減して短絡電流を向上させた量産性に富む太陽電池の製造方法を提供する。【構成】 多結晶シリコン基板11の表面に液状感光性樹脂をコーティングし、基板表面に形成すべき溝または凹部の形状に対応して液状感光性樹脂をエッチングして開口部82を形成しつつ多結晶シリコン基板11をマスク81する。そして、その開口部を通して基板表面に砥粒24を噴射してエアーブラスト加工を施すことにより、多結晶シリコン基板11の表面に面方位に依存することなく溝または凹部を効率良くかつ精度良く形成する。
請求項（抜粋）：
多結晶シリコン基板の表面に感光性樹脂をコーティングする工程と、基板表面に形成すべき溝または凹部の形状に対応して前記感光性樹脂をエッチングして開口部を形成しつつ多結晶シリコン基板をマスクする工程と、前記開口部を通じて基板表面に砥粒を噴射するエアーブラスト加工を施して溝または凹部を形成する工程とを含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 31/04
, H01L 21/304 301
, H01L 21/304
