特許

J-GLOBAL ID：200903089054127789

薄膜エレクトレットマイクロフォン

発明者： タイ,ユーチョン ,  スー,ツェンヤン ,  シェ,ウェン,エイチ.
出願人/特許権者： カリフォルニア インスティチュート オブ テクノロジー
代理人 (1件)： 長谷 照一 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-537420
公開番号（公開出願番号）：特表2000-508860
出願日： 1997年04月18日
公開日（公表日）： 2000年07月11日
要約：

【要約】少なくともその一方が支持構造の上に形成されたマイクロ加工エレクトレット層(6)を含む、マイクロホン膜ユニット(30)とマイクロホン裏板(32)とを近接配置することによって、高度に信頼性のある、安価なマイクロホンを生産することから成るエレクトレットマイクロホン製作方法。熱的アニーリングを使って注入電荷を安定させる。

請求項（抜粋）：

マイクロ加工技術によって支持構造の上にエレクトレット層を形成するステップによってエレクトレットを製造する方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 集積容量性変換器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-225387   出願人：セムセントルスイスデレクトロニクエドゥミクロテクニクソシエテアノニム-ルシェルシュエデベロプマン
• 特公昭56-050408
  
• 特表平3-504431
  
• 特許第4908805号