特許
J-GLOBAL ID：200903089054706878
積層インダクタおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松井 伸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-311380
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135351
出願日： 1997年10月27日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 誘電体チップの内部に埋め込まれた螺旋状コイルの横断面形状が円形または楕円形に近似したものとし、数百MHz以上の高周波領域においてQ値の大きな高性能な積層インダクタを実現すること【解決手段】 誘電体層Aの表面に導体パターン用の溝付きの誘電体層Bを印刷形成する。誘電体層Bの溝30に導電ペーストを埋め込むようにして導体パターンX1を印刷形成するとともに、溝30の上に盛り上がるように導体パターンX2を印刷形成する。導体パターンX(X1とX2)を覆うように誘電体層Bの上に誘電体層Cを重ねて印刷形成する。最終的に焼成プロセスを経ると、誘電体チップ10の内部に埋め込まれた螺旋状コイル20の横断面形状が円形または楕円形に近似したものとなる。
請求項（抜粋）：
導体パターンと誘電体層とを交互に印刷形成して順次積層することで、誘電体チップの内部に前記導体パターンがつながった螺旋状コイルを埋め込んだものを形成し、最終的に全体を焼成する積層インダクタの製造方法であって、次の要件(1)〜(3)を備えたことを特徴とする。(1)誘電体層Aの表面に導体パターン用の溝付きの誘電体層Bを印刷形成する。(2)誘電体層Bの前記溝を埋めるとともに当該溝の上部に盛り上がるように導体パターンXを印刷形成する。(3)導体パターンXを覆うように誘電体層Bの上に誘電体層Cを重ねて印刷形成する。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01F 41/04 C
, H01F 17/00 D
