特許

J-GLOBAL ID：200903089055902883

半導体装置

発明者： 畠山 哲夫 ,  四戸 孝
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (7件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  中村 友之 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-176797
公開番号（公開出願番号）：特開2005-012101
出願日： 2003年06月20日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：

【課題】安定した発振特性を有し、焼損破壊が少ない半導体装置を提供する。【解決手段】対向する第1及び第2の主面を有する炭化珪素からなる第1導電型のドリフト層と、第1の主面近傍のドリフト層の内部に埋め込まれ、ドリフト層よりも高い濃度の第1導電型不純物が添加された炭化珪素からなる埋め込み高濃度領域と、埋め込み高濃度領域よりも広い領域において第1の主面に接続された炭化珪素からなる第2導電型電極層と、第2の主面に接続された炭化珪素からなる第1導電型電極層とを有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

対向する第1及び第2の主面を有する炭化珪素からなる第1導電型のドリフト層と、 前記第1の主面近傍の前記ドリフト層の内部に埋め込まれ、前記ドリフト層よりも高い濃度の第1導電型不純物が添加された炭化珪素からなる埋め込み高濃度領域と、 前記埋め込み高濃度領域よりも広い領域において前記第1の主面に接続された炭化珪素からなる第2導電型電極層と、 前記第2の主面に接続された炭化珪素からなる第1導電型電極層 とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L29/864

FI (1件)：

H01L29/90 T