特許

J-GLOBAL ID：200903089058230304

半導体レーザ

発明者： 宇佐川 利幸 ,  佐和田 明美
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-244498
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097571
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】低しきい値,高利得,高緩和振動数で、加工バラツキに強い半導体レーザを150-200nmと量子細線/量子箱としては、一桁以上大きい寸法で実現する素子構造を提供する。【構成】図1に示すように、変調ドープ多重量子井戸のヘテロ接合界面を周期的に折り曲げる構造を半導体レーザの活性層にもちいる。p型AlzGa1-zAs11とアンドープGaAs12が所定の折り曲げ周期で多層に形成される。【効果】低しきい値として、100μA、高緩和振動数として70GHzを実現した。

請求項（抜粋）：

変調ドープ多重量子井戸(一個以上の量子井戸)のヘテロ接合界面が周期的に折り曲げられている構造を半導体レーザの活性層に用いる事を特徴とする半導体レーザ。