半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-330037
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177421
出願日： 1992年11月16日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】 DHウェハにハーフダイシングを行なうことなく、絶縁膜形成をスパタリング法を用いて行なうことなく、さらに絶縁膜の窓あけをフォトエッチング法を用いて行なうことなく、AgペーストによりDH接合部が電気的に短絡するのを防止することにより、放熱効率の良い、生産性の高い、半導体装置を提供する。【構成】少なくとも2層のクラッド層2、3とこのクラッド層2、3間に配置した少なくとも1層の活性層1とから構成された半導体(発光ダイオード)装置において、前記活性層1の側面を前記クラッド層2、3の側面より内側に位置するように配置した。

請求項（抜粋）：

少なくとも2層のクラッド層とこのクラッド層間に配置した少なくとも1層の活性層とから構成された発光半導体装置において、前記活性層の側面を前記クラッド層の側面より内側に位置するように配置したことを特徴とする発光半導体装置。

前のページに戻る