特許
J-GLOBAL ID：200903089059169820
SOIウエハおよびその製造方法ならびにそのSOIウエハを用いた半導体集積回路装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-187195
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032209
出願日： 1996年07月17日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：
【要約】【課題】 重金属のゲッタリングを行うことができる種々の態様のSOIウエハおよびその製造方法ならびにそのSOIウエハを用いた半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】 素子形成用半導体基板1と埋め込み用絶縁膜2のいずれか一方または両方の選択的な領域に素子形成用半導体基板1よりも高不純物濃度の不純物含有領域3を重金属のゲッタリング用としてイオン注入法を使用して形成した後、ベース用半導体基板4に埋め込み用絶縁膜2を介して素子形成用半導体基板1を貼り合わせ、その後、素子形成用半導体基板1の裏面を研削した後、CMP法を使用して所定の厚さの素子形成用半導体基板1となるまで研磨加工を行うものである。
請求項（抜粋）：
ベース用半導体基板の上に埋め込み用絶縁膜を介して素子形成用半導体基板が設けられているSOIウエハであって、前記埋め込み用絶縁膜の上の前記素子形成用半導体基板の選択的な領域に前記素子形成用半導体基板よりも高不純物濃度の不純物含有領域が重金属のゲッタリング用として設けられていることを特徴とするSOIウエハ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/322 J
, H01L 27/12 B
