特許
J-GLOBAL ID：200903089065371401
赤外発光ダイオードの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-062655
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264834
出願日： 1995年03月22日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】 1回エピ製法において基板転位が上層部に受け継がれるのを防ぐ。【構成】 GaAs基板の表面に、GaAsと固溶し、かつGaAsとは格子定数が異なる3元系物質元素を付着させる。その後、その3元系物質を付着させた基板上にGaAsをエピタキシャル成長させる。例えば、基板に付着させる当該元素としてAlを用いた場合、エピタキシャル成長工程では、まずGaAlAs層が形成され、次いで、温度条件の制御、例えば、高温-低温の順に制御した場合、n型GaAs、p型GaAsの順にエピ層が出来る。【効果】 基板転位を上層部に受け継がせることのなく1回のエピ操作での赤外発光ダイオード基板の製造が可能となる。
請求項（抜粋）：
ガリウムひ素からなる基板の表面に、ガリウムひ素と固溶し、かつガリウムひ素とは格子定数が異なる3元系物質を構成する元素を付着させる工程と、その3元系物質を付着させた基板上にガリウムひ素をエピタキシャル成長させる工程とを含んでいる赤外発光ダイオードの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 21/208 Z
