特許
J-GLOBAL ID：200903089068020367
カーボン薄膜形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-051977
公開番号（公開出願番号）：特開平7-258840
出願日： 1994年03月23日
公開日（公表日）： 1995年10月09日
要約：
【要約】【構成】不活性ガス雰囲気中で、DCバイアスを印可されたカーボンターゲット4をスパッタリングすることにより基板2上にカーボン薄膜を形成する方法において、不活性ガスがHeを含むガスであることを特徴とするカーボン薄膜形成方法。【効果】Vp-VfやC原子のイオン化率を増加させることができ、大面積基板に対して均一で耐摩耗性の良好なCイオン成膜をすることができる。
請求項（抜粋）：
不活性ガス雰囲気中で、DCバイアスを印可されたカーボンターゲットをスパッタリングすることにより基板上にカーボン薄膜を形成する方法において、不活性ガスがHeを含むガスであることを特徴とするカーボン薄膜形成方法。
IPC (4件)：
C23C 14/34
, B01J 19/08
, C01B 31/02 101
, C23C 14/06
