特許
J-GLOBAL ID：200903089068643704
記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-081724
公開番号（公開出願番号）：特開2004-289029
出願日： 2003年03月25日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：
【課題】メモリ素子と選択トランジスタとを用いたメモリセルで構成される相変化記憶装置において、130度以上で動作可能なように耐熱性を高めること。【解決手段】記録層にZn-Ge-TeのZnやCdなどの含有量が25原子%以上、Ge含有量が5原子%以上25原子%以下、Teの含有量が40原子%以上のものを用いる。【効果】車載などの高温になる可能性がある用途に使える記憶装置を実現することができる。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
GeまたはSbと、40原子%以上のTeと、20原子%以上50原子%以下の2b族、1b族、3aから7a族,および8族元素から選ばれた少なくとも一元素を含み、結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こすことにより情報を記録する記録膜と、
前記記録膜に電圧を印加するための電極とを有するメモリ素子を有することを特徴とする記憶装置。
IPC (3件)：
H01L27/10
, G11C13/00
, H01L45/00
H01L27/10 451
, G11C13/00 A
, H01L45/00 A
5F083FZ04
, 5F083FZ10
, 5F083JA02
, 5F083JA06
, 5F083JA19
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA60
, 5F083KA05
, 5F083KA11
, 5F083KA18
, 5F083LA04
, 5F083LA05
, 5F083LA12
, 5F083LA16
, 5F083LA20
, 5F083PR22
